碳化硅陶瓷坩埚支架

莫氏硬度9.5,仅次于金刚石。

热导率120-200 W/m·K。

热膨胀系数4.0-4.5×10⁻⁶/K。

体积密度1.5-1.6g/cm³。

产品概述
规格参数
常见问题

一、碳化硅陶瓷坩埚支架产品介绍:

碳化硅陶瓷坩埚支架是由高纯度碳化硅(SiC)制成的支撑器具,具有无孔且不渗透的特性,专为高温环境设计。其主要用途是支撑坩埚,在冶金、半导体、化工等领域的高温熔炼和粉体烧结过程中发挥关键作用。

 

二、技术参数与性能特点

耐温性能‌:可长期在1600℃以上高温环境中稳定工作,短期耐温可达2700℃。

1、物理特性‌:

莫氏硬度9.5,仅次于金刚石。

热导率120-200 W/m·K。

热膨胀系数4.0-4.5×10⁻⁶/K。

体积密度1.5-1.6g/cm³。

2、化学特性‌:

优异的抗氧化和抗酸碱腐蚀性能。

对大多数熔融金属具有极强抵抗能力。

极低的本征蒸汽压和杂质含量。

使用寿命‌:为普通石墨坩埚的3-5倍。


三、应用领域

半导体行业‌:用于晶体生长和单晶硅熔炼。

冶金工业‌:高温熔炼和金属提纯。

化工领域‌:高温反应和腐蚀性介质处理。

实验室研究‌:高温实验和材料烧结。


四、产品特点

1、高温稳定性‌:在极端温度下保持结构完整性。

2、化学惰性‌:不与熔融物发生反应,保证材料纯度。

3、抗热震性‌:能承受剧烈温度波动而不开裂。

4、低释气性‌:在真空环境中极少释放气体。

5、高耐磨性‌:抵抗熔融金属冲刷和机械损伤。


支持非标定制。



















碳化硅陶瓷坩埚支架有哪些运用场景?

广泛应用于:用于晶体生长和单晶硅熔炼;高温熔炼和金属提纯;高温反应和腐蚀性介质处理;高温实验和材料烧结。

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