密度：3.21-3.23 g/cm³(仅为钢的40%)。
硬度：莫氏硬度9.0-9.5(仅次于钻石)。
热导率：120-150 W/(m·K)(是硅的3-4倍)。
熔点：约2730℃。
一、碳化硅陶瓷片产品介绍：
高频绝缘碳化硅片(SiC)是一种第三代半导体材料，由碳元素和硅元素组成的化合物半导体。它具有高击穿电压、高热导率和宽禁带宽度(3.26 eV)等优异特性，是制造高温、高频、高功率电子器件的理想材料。
二、核心特性
1、物理性能：
密度：3.21-3.23 g/cm³(仅为钢的40%)。
硬度：莫氏硬度9.0-9.5(仅次于钻石)。
热导率：120-150 W/(m·K)(是硅的3-4倍)。
熔点：约2730℃。
2、电学性能：
击穿电压：是硅的8-10倍。
电子饱和漂移速率：是硅的2-3倍。
介电常数：9-10，适合高频应用。
绝缘性能：高击穿电压和低漏电流。
二、应用领域
1、新能源汽车：电驱系统、快充桩。
2、5G通信：基站射频器件。
3、光伏风电：逆变器。
4、智能电网：高压电力设备。
5、航空航天：高温部件。
一、技术参数
参数类别 | 4H-SiC | 6H-SiC |
禁带宽度 | 3.26 eV | 3.03 eV |
电子迁移率 | 高(比6H-SiC高2-3倍) | 较低 |
适用场景 | 高频、高压 | 高电流应用 |
支持非标定制。
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